刘奥 教授

电子科技大学

报告时间：2026年11月6日（星期五）19:30-20:30

报告地点: 张江校区4号楼600报告厅

邀请人: 刘成副教授

报告摘要(Abstract)：

开发高性能、稳定且易于集成的P型半导体材料与器件，是推动大面积、低成本互补金属氧化物半导体（CMOS）技术发展的关键。然而，受限于材料本征电子结构、空穴输运特性及器件稳定性，高性能P沟道薄膜晶体管（P-TFT）的发展仍面临诸多挑战。本报告将围绕新型P型半导体材料设计、载流子输运调控及CMOS集成应用，介绍我们近期在锡基卤素钙钛矿和非晶碲基复合氧化物半导体领域的研究进展。在锡基卤素钙钛矿方面，通过组分设计、结晶调控与缺陷钝化，实现了高迁移率、高开关比及稳定的P型薄膜晶体管，并探索了其在互补逻辑电路中的应用。在非晶碲基氧化物方面，通过调控局域化学键合与电子结构，构筑了高效的P型空穴传输通道，突破了传统非晶氧化物半导体空穴输运能力不足的限制，并实现了高性能全氧化物CMOS逻辑电路及柔性集成。上述研究为发展高性能P型薄膜电子器件提供了新的材料设计思路，也为柔性显示、可穿戴电子及新型集成电路等应用提供了技术基础。

报告人简介(Brief introduction)：

刘奥，电子科技大学基础与前沿研究院教授、博士生导师，国家级青年人才，四川省天府峨眉计划入选者。博士毕业于韩国浦项科技大学，曾在美国西北大学从事博士后研究。长期从事新型半导体材料与信息器件研究，主要研究方向包括新型P型半导体材料、薄膜晶体管与集成电路、类脑计算器件等。围绕高性能P型半导体材料的设计与器件集成，提出并验证了锡基卤素钙钛矿及非晶碲基复合氧化物半导体的材料设计与性能调控方法，实现了高性能P型薄膜晶体管及CMOS逻辑电路。相关研究成果以第一作者或通讯作者发表于Nature、Science、Nature Electronics、Nature Reviews Electrical Engineering、Nature Protocols、Science Advances、Nature Communications等学术期刊。主持国家自然科学基金、科技部、JKW及省部级科研项目。曾获“中国十大新锐科技人物”“中国芯片科学十大进展”“川渝科技学术优秀论文一等奖”及韩国信息显示协会“青年领袖奖”等荣誉。现任韩国浦项科技大学化学工程系兼聘教授，并担任Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry期刊执行编辑。