讲座报告
有机半导体材料与晶体管器件的稳定性
2021-11-19
发布时间:2021年11月17日 10:26

报告人:李立强 天津大学分子聚集态科学研究院

时   间:2021年11月19日(星期五),14:00-15:00

地   点:化学B楼410会议室

邀请人:李涛 教授




报告人简介:

李立强天津大学教授,2002年和2005年在南开大学获得学士和硕士学位,2008年在中科院化学研究所获博士学位,2008年至2014年在德国明斯特大学物理所从事博士后研究工作。2014年加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,任研究员,2019年调入天津大学。

主持/参与国家重点研发计划项目、国家自然科学基金委面上项目/重点项目/创新群体项目、中科院前沿科学重点研究计划项目等。一直从事有机场效应晶体管材料与器件研究,重点聚焦器件的失稳机制与增稳方案、有机半导体的可控掺杂与电荷输运机制。

以通讯/第一作者在Adv. Mater.(8篇)、Sci. Adv.(1篇)、Nature Commun.(1篇)、J. Am. Chem. Soc.(1篇)、Angew. Chem. Int. Ed.(1篇)、Adv. Energy Mater.(1篇)等期刊上发表文章50余篇。

报告摘要

有机场效应晶体管(OFET)作为最重要的有机电子元器件之一,在柔性显示、电子皮肤、可穿戴设备、智慧医疗、射频标签、柔性存储等领域具有广阔的应用前景。经过三十多年的发展,有机场效应晶体管的电学性能(迁移率等参数)与相关加工工艺等方面已取得巨大进步,但该领域仍未实现实用化,稳定性是制约实用化的关键瓶颈(“硬骨头”)问题,也是该领域被质疑是否有应用前景的关键问题。报告人一直聚焦有机半导体材料与晶体管器件的稳定性问题,取得了如下进展:

1)采用和频共振光谱技术揭示了在有机场效应半导体材料界面存在一种新型的分子构象诱导的界面应力,证明了该应力是材料老化(聚集态结构失稳)和器件性能衰减的主要内在原因,深化了对有机场效应半导体材料与器件稳定性的认知;

2)在机制解析的基础上,发展了平衡材料界面应力、提升其聚集态结构稳定性的界面材料工程策略,构筑了具有优异稳定性的晶体管器件。

3)探明了环境因素(热、光、力)对材料电输运性质的调控机制,发展了减弱或增强调控作用的策略,进而分别构建了光、热稳定晶体管器件与高灵敏度传感器。

本报告将分别介绍上述研究进展。