结构明确的石墨烯纳米带（GNR）已经成为下一代纳米电子领域有前景的材料。GNR的电子特性主要取决于其边缘拓扑。上海交通大学麦亦勇教授课题组，通过自下而上方法有效合成了弯曲的GNR（cGNR），包括凹形，锯齿形和扶手椅形边缘结构等。通过相应的模型化合物揭示了cGNR的曲率，而通过X射线单晶分析明确了它的结构。所得的多边缘cGNR在近红外（NIR）区域显示出良好的吸收，最大峰值在850 nm处，对应于一个窄的光能隙约为1.22 eV。利用太赫兹光谱，发现有较长的散射时间约为60 fs，在cGNR中光生载流子的固有电荷载流子迁移率达600 cm² V-1 s^-1。

图 1. 样品1和2的X射线晶体结构。所有氢原子和溶剂分子被省略。（a，b）：1（P,P）和2（M,M）样品的俯视图和侧视图；（c，d）：样品1和2的晶体结构堆积。

图 2.（a）cGNR的合成路线，以及（b）通过DFT模拟的cGNR的几何形状。

图3. cGNR的光谱表征。（a）P1和cGNR的FTIR光谱；（b）cGNR在532 nm处测量的拉曼光谱；（c）cGNR在氯仿（0.1 mg mL^-1）中的紫外可见吸收光谱，样品1,2在DCM（10^-5 M）中的紫外可见吸收光谱；（d）样品1、2，二聚体，四聚体，cGNR的能级。

图 4. （a）光激发后，cGNR的时间分辨的太赫兹光电导率（与透射场的相对变化成正比）；（b）光激发后，在1.5 ps测量的频率分辨的THz复电导率。

该研究工作得到了变革性分子前沿科学中心培育基金的资助，发表在发表在J. Am. Chem. Soc.期刊上。

原文链接：https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/jacs.0c07013